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福彩3d走势图综合版的八:英特尔10nm芯片跳票延迟 承诺2021年推7nm产品

2019-05-09 08:21 作者:佚名 来源:硅谷网 HV: 编辑:何晓静 【搜索试试

3d论坛福彩3d论坛 www.kygmi.icu 据Anandtech报道,在美国当地时间8日举行的英特尔投资者日上,该公司首席执行官鲍勃·斯旺(Bob Swan)和总裁穆尔西·兰德奇塔拉(Murthy Renduchintala)谈到了英特尔的芯片开发路线图。

英特尔历来在执行其工艺技术方面能力超强,但其推出10nm制程工艺数次延迟显然引发了许多质疑,而且这种情况已经持续了数年。两位英特尔高管详细介绍了英特尔在此期间所做的事情,以及其从这些事件中吸取了哪些教训。

早在2013年,英特尔就设想通过提供2.7倍密度的自对准四轴图形(SAQP)、有源栅极上接触(COAG)、Cobolt互连以及EMIB和Foveros等新封装技术,利用10nm芯片取代14nm芯片。

英特尔承认,这是个雄心勃勃的计划,但由于该公司没有与相关团队明确界定目标,导致该计划最终变得过于复杂,且没有以理想的方式加以管理。

这最终致使10nm工艺的推出被延迟。在这种情况下,英特尔将10nm制程工艺推持到2019年,并以14+和14++填补了空白。

自该计划实施以来,英特尔的14+和14++工艺已经获得了超过20%的性能提升。因此,英特尔不仅为将来的节点内优化做好了准备,而且实际上还调整了路线图来完善它。

兰德奇塔拉明确表示,英特尔希望在新工艺开始时引入类似摩尔定律式的增益,并在该工艺结束时引入另一种类似的增益。

英特尔表示,其10nm产品系列将从今年年中开始上市,客户端平台(笔记本电脑)将配置Ice Lake。

英特尔将在2019年和2020年推出多种10nm产品,包括在2020年上半年推出基于10nm的服务器。

此外,英特尔表示将在2021年生产并推出一款7nm产品。

对于一家开发10nm工艺都存在问题的公司来说,这个时间表听起来显得十分激进。在英特尔路线图中,10nm(以及10+和10++)的生命周期比14nm系列短得多。

考虑到这一点,英特尔的7nm产品将成为该公司从14nm和10nm系列产品中吸取教训的结合体。英特尔希望实现2倍扩展(摩尔定律),但是计划将节点内优化作为路线图的一部分。

英特尔也在减少其设计规则的数量,这应该有助于执行新的路线图计划。7nm也将是英特尔与EUV交叉的领域,并将引入下一代Foveros和EMIB封装技术。

英特尔还展示了以个人电脑为中心的单片芯片和基于Foveros和EMIB的多模数据中心芯片。英特尔芯片和封装团队表示,我们将看到Foveros和EMIB出现在新产品上,特别是GPU。

英特尔宣布其领先的7nm产品将是基于Xe图形架构的新GPGPU。该公司表示,其Xe产品将有两个不同的微体系结构(从移动端GPGPU),其中一个架构称为北极声音(Arctic Sound)。

英特尔将在2020年发布首个分离式GPU技术,然而7nm GPGPU将等到2021年推出。

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